實際上，所有晶體元件的頻率都在一定程度上隨激勵電平變化而變化(微量變化)，一般來說，AT切晶體的頻率會隨激勵電平增大而略有升高。過高的激勵電平會導(dǎo)致諧振器溫度特性的畸變，并激活寄生模。過高的激勵使晶體發(fā)熱和應(yīng)力過大，從而產(chǎn)生不可逆的頻率漂移。
非常低的激勵電平（數(shù)微瓦或更低）下，晶體元件的諧振電阻可能比在額定激勵電平下電阻值高很多，以致使振蕩器越振越困難。這種效應(yīng)經(jīng)過一段非工作狀態(tài)的貯存后會加劇，這就是激勵電平相關(guān)性（DLD）。因此，晶體在電路中實際使用的激勵電平不應(yīng)過大和過小。
下面是IEC推薦的激勵功率的常用值。
2mw、1mw、0.1mw（100μw）、0.05mw（50μw）、0.02mw（20μw）、0.01mw（10μw）、0.001 mw(1μw)
優(yōu)選值  5MHz以下  500μw，以上一般   100μw。